Ученые Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН рассматривают возможность применения в устройствах для хранения памяти мультиграфена (нескольких слоев высокотехнологичного материала - графена). Флеш-накопители на его основе будет отличать долгое время хранения информации и высокая скорость, передаёт ТАСС со ссылкой на старшего научного сотрудника ИФП СО РАН Юрия Новикова.

Принцип действия такой памяти основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в данном случае мультиграфене. Необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои: первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика. «Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», - приводит слова Новикова официальное издание СО РАН "Наука в Сибири".

Как сообщил ТАСС старший научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко, в настоящее время рынок флеш-памяти в России полностью отсутствует, она производится только за рубежом. Для строительства необходимого завода в России потребовалось бы от $4 до 5 млрд, поэтому пока исследование носит исключительно фундаментальный характер.

Графен - инновационный материал, открытый в Великобритании выходцами из России Андреем Геймом и Константином Новоселовым, которые получили за это Нобелевскую премию по физике за 2010 год.